Băng dính cắt UV | Dành cho Wafer TSV và IGBT

Mô tả sản phẩm

• Công nghệ băng dính cắt có thể tách bằng UV và công nghệ đế tạm thời đã được phát triển cho quy trình wafer rất mỏng trong wafer TSV (Trough-Silicon Via) và IGBT. Những wafer rất mỏng này không thể xử lý được nếu không có băng hỗ trợ. Băng dính cắt có thể đóng rắn bằng UV có thể hỗ trợ các wafer rất mỏng trong quy trình vận hành và dễ dàng nhặt lên sau đó.
• Đây là dòng băng dính cắt có thể tách bằng UV mang tính đột phá, có các đặc tính có thể thay đổi theo quy trình vận hành. Màng PO được phủ lớp keo đặc biệt có độ bám dính cao. Các đặc tính nổi bật hỗ trợ quy trình cắt wafer trong sản xuất.
• Độ bám dính mạnh mẽ của băng dính giúp cố định wafer trong quá trình mài và cắt, sau đó giảm đi khi tiếp xúc với tia UV để dễ dàng nhặt lên. Băng dính cắt này là thiết yếu cho việc cắt toàn bộ wafer để cải thiện chất lượng chip, và hoàn toàn áp dụng cho các chip có nhiều kích cỡ khác nhau.

Đặc điểm

• Độ bám dính mạnh và hiệu suất cắt tuyệt vời trước khi chiếu tia UV.
• Độ bám dính tách và hiệu suất nhặt tốt sau khi chiếu tia UV.
• Cố định wafer với độ bám dính ban đầu mạnh mẽ để đảm bảo cắt mà không bị trượt hoặc bong tróc ngay cả đối với các chip nhỏ.
• Hỗ trợ kiểm soát độ bám dính tức thời bằng chiếu xạ UV, cho phép nhặt các chip lớn dễ dàng.
• Không gây ô nhiễm bởi dư lượng keo hoặc ion kim loại trên bề mặt đáy wafer, và không có tác động bất lợi của chiếu xạ UV lên chip IC.
• Nó có thể ngăn wafer cắt xuyên vào giao diện với cường độ bám dính cao.

Ứng dụng

• Chủ yếu được sử dụng cho việc đóng gói/cắt laser/lưỡi và mài tất cả các loại wafer IC, gốm, thủy tinh và bất kỳ bộ phận siêu mỏng nào, v.v.
• Băng dính tách UV còn được gọi là Băng dính làm mỏng wafer, Băng dính cắt wafer, băng dính mài mặt sau wafer, băng dính đánh bóng mặt sau wafer, băng dính mài & đánh bóng wafer.
• Lưu ý: Có sẵn các kích thước tùy chỉnh theo yêu cầu và cung cấp mẫu miễn phí để thử nghiệm.